headerphoto

Data Penelitian Universitas Pendidikan Indonesia

Penumbuhan film tipis gan pada Tamlate zno dengan Metode MOCVD untuk Aplikasi optoelektronik

Kode : Fisika
Jenis Penelitian : Hibah Bersaing
Metode Penelitian : SURVEY
Tahun Penelitian : 2008
Sumber Dana : DIKTI
Fakultas : FAKULTAS ILMU PENDIDIKAN
Peneliti - Dr. IDA HAMIDAH M.Si.
- Drs. AGUS SETIAWAN M.Si.
Abstrak Penelitian ini bertujuan untuk memperoleh kristal tunggal gaN yang berkualitas baik untuk aplikasi optoelektronik. Film tipis gaN ditumbuhkan dengan metode MOCVD di atas template ZnO/a-Al2O3 menggunakan prekursor TMGa dan N2. Film gaN yang telah ditumbuhkan selanjtnya dikarakterisasi morfologi permukaannya dengan SEM, sifat strukturnya dengan XRD, komposisinya dengan EDS dan sifat listriknya dengan pengukuran Hall-Van der Pauw. Hasil penelitian menunjukkan film tipis GaN berhasil ditumbuhkan di atas template ZnO/a-Al2O3. Kualitas morfologi permukaan film GaN meningkat  seiring dengan kenaikan temperatur penumbuhan dari 640 oC  sampai dengan 700 oC, yang dicirikan dengan semakin kecilnya ukuran butiran kristal dan semakin hausnya permukaan. Hasil karakterisasi sifat permukaan, sifat struktur dan sifat listrik menunjukkan kualitas film GaN yang terbaik diperoleh pada temperatur penumbuhan 680oC dengan mobilitas 63,55 cm2/Vs dan konsentrasi pembawa muatan 63.16x1018 cm-3.
Kata kunci :
Download File Penumbuhan-film-tipis-gan-pada-Tamlate-zno-dengan-Metode-MOCVD-untuk-Aplikasi-optoelektronik.doc